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ICP-MS技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用

更新時(shí)間:2010-03-10      點(diǎn)擊次數(shù):4360

  自1983年*臺(tái)商品化的電感耦合等離子體質(zhì)譜(ICP-MS)問(wèn)世以來(lái),由于它具有靈敏度高,穩(wěn)定性好,線(xiàn)性范圍寬及多元素同時(shí)測(cè)定等優(yōu)點(diǎn),在需要極低檢出限的分析領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。例如,環(huán)境水體(地下水,地表水)的分析,其中金屬元素的*均小于10μg/L。相對(duì)應(yīng)的各國(guó)政府也出臺(tái)了一系列法規(guī)和分析方案來(lái)完成對(duì)水體質(zhì)量的監(jiān)控,如美國(guó)的U.S. EPA 200.8和中國(guó)的GB5479-2006。同時(shí)隨著人類(lèi)逐漸進(jìn)入信息化時(shí)代,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)得到了飛速的發(fā)展,ICP-MS從而也成為半導(dǎo)體行業(yè)所使用的高純酸(如HNO3,H3PO4)等溶劑的質(zhì)量控制分析的zui主要手段。
  隨著工業(yè)和科技的發(fā)展,人們的生活水平也在逐漸提高,但與此同時(shí)對(duì)于環(huán)境的破壞和資源的消耗式開(kāi)采進(jìn)一步引發(fā)的人類(lèi)健康等問(wèn)題也成為了一個(gè)關(guān)注的社會(huì)問(wèn)題。如何有效的解決這些問(wèn)題,首先就要有一種很好的分析手段來(lái)檢測(cè)污染的來(lái)源和流向,ICP-MS技術(shù)也在這樣的背景下飛速發(fā)展,應(yīng)用領(lǐng)域從zui初僅針對(duì)基體簡(jiǎn)單的水體和純酸的分析逐漸拓展到應(yīng)對(duì)更加復(fù)雜的樣品分析,如食品安全,臨床檢測(cè),地質(zhì)勘探,冶金材料等。
  雖然ICP-MS已經(jīng)成為越來(lái)越常規(guī)的實(shí)驗(yàn)室分析技術(shù),但對(duì)于一些復(fù)雜基體,依然存在一些干擾,池技術(shù)是ICP-MS目前技術(shù)進(jìn)展的zui前沿。
  池技術(shù)的進(jìn)展反映在兩個(gè)方面,一個(gè)是池本身,一個(gè)是池里面通的氣體。
  池技術(shù)有四級(jí)桿、六級(jí)桿和八級(jí)桿三種。采用碰撞/反應(yīng)池技術(shù),離子以正常方式進(jìn)入接口區(qū),然后在真空下被提取到置于四級(jí)桿分析器前的碰撞/反應(yīng)池中。此時(shí)將碰撞反應(yīng)氣如H2或He通入反應(yīng)池,反應(yīng)池由一根多級(jí)桿組成(四級(jí)桿、六極桿或八極桿),通常僅在RF模式下操作。RF場(chǎng)與傳統(tǒng)的四級(jí)桿一樣,不能分離質(zhì)量數(shù),但可聚焦離子,經(jīng)聚焦后的離子與碰撞/反應(yīng)池中的氣體分子發(fā)生碰撞和反應(yīng)。由于發(fā)生了大量的不同的離子—分子碰撞和反應(yīng),多原子干擾離子如40Ar+、40Ar16O+和38ArH+可轉(zhuǎn)變成無(wú)害的非干擾物質(zhì),或者待測(cè)元素將轉(zhuǎn)變成另一種不受干擾的離子。反應(yīng)式如下:
  38ArH++H2=H3++Ar
  39K++H2=39K++H2(不發(fā)生反應(yīng))


  這表明使用H2可降低測(cè)量39K+過(guò)程中產(chǎn)生的38ArH+的多原子干擾。可以看出,H2將38ArH+轉(zhuǎn)變成無(wú)害的H3+離子和Ar原子,但并不與K發(fā)生反應(yīng)。39K+待測(cè)元素離子不受干擾,從碰撞/反應(yīng)池中出來(lái)后直接進(jìn)入四級(jí)桿分析器進(jìn)行正常的質(zhì)量分離。
  表1. 池技術(shù)的儀器類(lèi)型
  ICP-MS廠商 激發(fā)源 池技術(shù)和功能 質(zhì)量分析器 推出時(shí)間
  PerkinElmer ICP 四級(jí)桿(質(zhì)量分辨) 四級(jí)桿 1999年上半年
  Thermo ICP 六級(jí)桿(動(dòng)能分辨) 四級(jí)桿 2001年上半年
  Agilent ICP 八級(jí)桿(動(dòng)能分辨) 四級(jí)桿 2001年下半年
  上一個(gè)例子非常簡(jiǎn)單地解釋了碰撞/反應(yīng)池的工作原理。實(shí)際上,還會(huì)發(fā)生一些復(fù)雜的二次反應(yīng)和碰撞,生成許多有害的干擾物質(zhì)。如果不消除或去除這些物質(zhì),有可能產(chǎn)生更多的譜線(xiàn)干擾。基本上可以采用兩種不同的方法去除這些有害的反應(yīng)產(chǎn)物:
  通過(guò)動(dòng)能分辨
  通過(guò)質(zhì)量分辨
  這兩種方法的主要區(qū)別在于多級(jí)桿類(lèi)型以及去除干擾的基本原理不同。以下對(duì)它們的區(qū)別之處展開(kāi)詳細(xì)的討論。
  表2. 多級(jí)桿的工作原理
  多級(jí)桿示意圖 離子在多級(jí)桿電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)參數(shù)方程
  an= 2n(n-1) eVdc
  mω2r02
  qn= n(n-1) eVrf
  mω2r02
  式中:n為多級(jí)桿的桿對(duì)數(shù)量,例如四級(jí)桿,則n=2,六級(jí)桿則n=3,八級(jí)桿則n=4。
  r0為多級(jí)桿內(nèi)接圓的半徑,Vdc和Vrf分別是施加在多級(jí)桿對(duì)上的直流和交流電壓。
  ω是電壓正負(fù)轉(zhuǎn)換的頻率,m是單電荷離子的質(zhì)量數(shù)。
  四級(jí)桿中單個(gè)離子的穩(wěn)定區(qū)域圖          四級(jí)桿中多個(gè)離子穩(wěn)定區(qū)域圖及相互分離
  六級(jí)桿中單個(gè)離子的穩(wěn)定區(qū)域圖       八級(jí)桿中單個(gè)離子的穩(wěn)定區(qū)域圖
  圖1 多級(jí)桿中離子的穩(wěn)定區(qū)域圖
  由于只有四級(jí)桿具有將不同離子分開(kāi)的功能,因而選擇質(zhì)量分辨的方法來(lái)控制副反應(yīng)的發(fā)生,消除干擾離子。六級(jí)桿和八級(jí)桿由于不用將離子分辨開(kāi),因而在后面施加了一個(gè)正電壓來(lái)阻擋動(dòng)能小的離子,用動(dòng)能分辨的方法來(lái)消除干擾。
  動(dòng)能分辨
  六極桿技術(shù)zui初是為采用串極質(zhì)譜研究有機(jī)分子而設(shè)計(jì)的,因而希望生成的碰撞誘導(dǎo)產(chǎn)物越多越好,越多分子碎片越有助于確定母分子的結(jié)構(gòu)。但用于液相色譜或電噴霧質(zhì)譜研究體現(xiàn)出來(lái)的非常理想的特性在無(wú)機(jī)質(zhì)譜分析卻非常不利。有多種方法可以解決這個(gè)問(wèn)題,但當(dāng)時(shí)可以利用的碰撞氣有限。反應(yīng)性強(qiáng)的氣體如NH3和CH4可以更有效地降低干擾,但由于非掃描型六極桿(RF模式)不能充分控制二次反應(yīng),使得這些反應(yīng)氣無(wú)法使用。根本的原因是六極桿不具備充分的質(zhì)量分辨能力,不能有效抑制有害的二次反應(yīng),這種二次反應(yīng)需要通過(guò)動(dòng)能分辨才能從待測(cè)元素離子中辨別碰撞產(chǎn)物離子。動(dòng)能分辨一般可以通過(guò)設(shè)定碰撞池電位比質(zhì)量過(guò)濾器電位低一些而實(shí)現(xiàn)。這意味著碰撞池中產(chǎn)生的碰撞產(chǎn)物離子經(jīng)過(guò)碰撞反應(yīng)后,動(dòng)能較低而被去除,而能量較高的待測(cè)元素離子則被傳輸至檢測(cè)器。
  由于六級(jí)桿碰撞池不能充分控制二次反應(yīng),因此只能選擇反應(yīng)性弱的氣體如He、H2和Xe。結(jié)果是離子與分子之間的碰撞裂解(而不是反應(yīng))成為降低干擾的主要機(jī)理。因此盡管六極桿的離子傳輸特性很好,但由于采用反應(yīng)性弱的氣體降低干擾的效率不及NH3,檢出限仍然相對(duì)較差。因此,尤其是分析一些困難的元素如Fe、K和Ca,采用碰撞/反應(yīng)技術(shù)的檢測(cè)能力比冷等離子體技術(shù)略有改進(jìn)。表3給出了采用六極桿碰撞池ICP-MS能夠獲得的一些典型的靈敏度(cps/ppm)和檢出限(ppt) 。
  表3 采用六極桿碰撞池ICP-MS檢測(cè)能夠獲得的典型的
  靈敏度(cps/ppm)和檢出限(ppt)
  元素 元素靈敏度(cps/[mg/mL]) 檢出限(ppb)
  9Be+ 6.9?1.07 7.7
  24Mg+ 1.3?1.08 28
  40Ca+ 2.8?1.08 70
  51V+ 1.7?1.08 0.9
  52Cr+ 2.4?1.08 0.7
  55Mn+ 3.4?1.08 1.7
  56Fe+ 3.0?1.08 17
  59Co+ 2.7?1.08 0.7
  60Ni+ 2.1?1.08 16
  63Cu+ 1.9?1.08 3
  68Zn+ 1.1?1.08 8
  68Sr+ 4.9?1.08 0.3
  107Ag+ 3.5?1.08 0.3
  114Cd+ 2.4?1.08 0.4
  128Te+ 1.3?1.08 9
  138Ba+ 5.9?1.08 0.2
  205Tl+ 4.0?1.08 0.2
  208Pb+ 3.7?1.08 0.7
  209Bi+ 3.4?1.08 0.5
  238U+ 2.3?1.08 0.1
  近年來(lái)通過(guò)對(duì)六極桿設(shè)計(jì)的改進(jìn),已經(jīng)大大提高了它的碰撞/反應(yīng)特性。而且可提供很好的傳輸特性和動(dòng)能分辨,也可使用少量的反應(yīng)性強(qiáng)的氣體。
  八級(jí)桿和六級(jí)桿相比的優(yōu)點(diǎn)在于:尤其在低質(zhì)量數(shù)一端離子的傳輸特性比六極桿稍微高一些。設(shè)計(jì)上與六極桿類(lèi)似,碰撞裂解和能量分辨是降低干擾的主要機(jī)理,從而可優(yōu)先使用反應(yīng)性較弱的氣體如H2和He。嚴(yán)格設(shè)計(jì)接口和反應(yīng)池的入口,減少進(jìn)入反應(yīng)池中樣品、溶劑以及等離子體產(chǎn)生的離子的數(shù)量,從而可以提高碰撞/反應(yīng)的能力。這使得能夠提高碰撞氣體去除干擾的效率。一個(gè)例子是使用H2作為反應(yīng)氣降低測(cè)量Se的主要同位素過(guò)程中在質(zhì)量數(shù)80 處(80Se+)產(chǎn)生的Ar二聚物(40Ar2+)的干擾。圖2為采用八極桿反應(yīng)池ICP-MS在質(zhì)量數(shù)80處40Ar2+的背景顯著降低??梢钥闯?,通過(guò)使用*的H2氣流,譜線(xiàn)背景降低了6個(gè)數(shù)量級(jí),即由1?107cps降至10cps,80Se+獲得的BEC大約為1pp。
  圖2. 采用八極桿反應(yīng)池以H2為反應(yīng)氣降低氬二聚物(40Ar2+)的背景
  通過(guò)質(zhì)量過(guò)濾分辨
  去除二次碰撞/反應(yīng)產(chǎn)物的另一個(gè)途經(jīng)是通過(guò)質(zhì)量數(shù)進(jìn)行分辨。使用六級(jí)桿和八級(jí)桿的不幸之處在于,由于采用更次的多級(jí)桿,穩(wěn)定性邊界擴(kuò)散,不易中斷連續(xù)的二次反應(yīng),使得不能有效地進(jìn)行質(zhì)量分辨。解決這個(gè)問(wèn)題的方法是在碰撞/反應(yīng)池內(nèi)使用一個(gè)四級(jí)桿(而不是六極桿或者八極桿),作為一個(gè)選擇性的帶通(質(zhì)量)過(guò)濾器。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是可以使用反應(yīng)性強(qiáng)的氣體,使得降低干擾的效率提高。應(yīng)用這種方法發(fā)展了一種稱(chēng)為動(dòng)態(tài)反應(yīng)池的技術(shù)(DRC)。外觀上與六級(jí)桿和八級(jí)桿碰撞/反應(yīng)池技術(shù)相似,動(dòng)態(tài)反應(yīng)池是一種加壓的多級(jí)桿,置于四級(jí)桿分析器的前端。但相似之處也就是這些。在DRC技術(shù)中,使用四級(jí)桿代替六極桿或八極桿。將反應(yīng)性強(qiáng)的氣體如NH3或CH4通入池中,作為離子分子化學(xué)反應(yīng)的催化劑。在大量不同的反應(yīng)機(jī)理作用下,氣體分子與干擾離子發(fā)生反應(yīng),轉(zhuǎn)變成不同于待測(cè)元素質(zhì)量數(shù)的無(wú)毒物質(zhì)或無(wú)害的中性物質(zhì)。從動(dòng)態(tài)反應(yīng)池出來(lái)的待測(cè)元素質(zhì)量數(shù)不受干擾,進(jìn)入四級(jí)桿分析器進(jìn)行傳統(tǒng)的質(zhì)量分離。在反應(yīng)池中使用四級(jí)桿的優(yōu)點(diǎn)是穩(wěn)定區(qū)比六極桿或八極桿中要確定得多,因此在反應(yīng)池中操作四級(jí)桿作為質(zhì)量或帶通過(guò)濾器相對(duì)簡(jiǎn)單,而不僅僅是一種離子聚焦的導(dǎo)棒。因此,通過(guò)嚴(yán)格優(yōu)化四級(jí)桿的電場(chǎng),可以避免氣體和樣品基體或溶劑之間發(fā)生有害的反應(yīng)產(chǎn)生新的干擾。這意味著每當(dāng)待測(cè)元素和干擾離子進(jìn)入動(dòng)態(tài)反應(yīng)池,針對(duì)特定的問(wèn)題能夠優(yōu)化四級(jí)桿的帶通,對(duì)下一個(gè)問(wèn)題能不斷的做出變化。為待測(cè)元素離子56Fe和同量異位素干擾40Ar16O+進(jìn)入動(dòng)態(tài)反應(yīng)池,反應(yīng)氣NH3與ArO+發(fā)生反應(yīng)生成O原子、Ar原子和帶正電荷的NH3離子。然后設(shè)定四級(jí)桿的電場(chǎng),允許待測(cè)元素離子56Fe被傳輸?shù)竭_(dá)四級(jí)桿分析器,不受同量異位素40Ar16O+的干擾。而且,可以抑制NH3+進(jìn)一步反應(yīng)生成新的干擾離子。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是可以使用反應(yīng)性強(qiáng)的氣體,增加了離子-分子反應(yīng)的次數(shù),從而能更有效地去除干擾物質(zhì)。當(dāng)然,氣體和樣品基體及溶劑之間有可能發(fā)生更多的副發(fā)應(yīng)。但是,通過(guò)動(dòng)態(tài)掃描反應(yīng)池中四級(jí)桿的帶通,去除這些反應(yīng)生成的副產(chǎn)物,使副產(chǎn)物來(lái)不及繼續(xù)反應(yīng)生成新的干擾離子。
  DRC技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于通過(guò)謹(jǐn)慎選擇反應(yīng)氣,可以利用待測(cè)元素與干擾物質(zhì)之間反應(yīng)的不同速率。例如,在測(cè)量40Ca+過(guò)程中,用NH3氣體消除40Ar+的干擾。由于NH3的電離電位(10.2eV)比Ar的電離電位(15.8eV)低,NH3氣體與40Ar+干擾之間的反應(yīng)主要發(fā)生電荷置換。因此,該反應(yīng)是放熱反應(yīng),而且速率快。而Ca的電離電位(6.1eV)比NH3低的多,反應(yīng)由于是吸熱的而無(wú)法進(jìn)行。
  圖3. 在動(dòng)態(tài)反應(yīng)池中,NH3與40Ar+發(fā)生快速的放熱反應(yīng),而NH3和Ca+不發(fā)生反應(yīng)
  如圖4所示,在質(zhì)量數(shù)40處,反應(yīng)效率更高,大大降低了譜線(xiàn)背景。從圖中可以看出,NH3的流速為*值時(shí),40Ar+的背景信號(hào)大約降低了8個(gè)數(shù)量級(jí),使得40Ca+的檢出限<0.5ppt。
  圖4. 采用動(dòng)態(tài)反應(yīng)池技術(shù)40Ar+的背景信號(hào)降低了8個(gè)數(shù)量級(jí),40Ca+的檢出限<0.5ppt。
  應(yīng)該指出的是,雖然六級(jí)桿和八級(jí)桿也可以采用H2作為反應(yīng)氣(通過(guò)能量分辨)可以有效降低40Ar+的背景,但它比使用反應(yīng)性強(qiáng)的氣體的反應(yīng)池需要發(fā)生更頻繁的碰撞。必須認(rèn)識(shí)到,由于40Ca+經(jīng)歷了與40Ar+同樣多次的碰撞也損失了部分動(dòng)能。這意味著通過(guò)動(dòng)能的差別很難將它們區(qū)分開(kāi)。
  表4為應(yīng)用動(dòng)態(tài)反應(yīng)池ICP-MS系統(tǒng)測(cè)量ppt量級(jí)獲得的一些典型的檢出限。帶星號(hào)(*)的元素是使用NH3或CH4作反應(yīng)氣進(jìn)行測(cè)量,其它元素以標(biāo)準(zhǔn)模式進(jìn)行測(cè)量(沒(méi)有采用反應(yīng)氣)。
  動(dòng)態(tài)反應(yīng)池(DRC)是內(nèi)有一個(gè)四極桿系統(tǒng)的反應(yīng)池。與全譜直讀ICP-OES中階梯光柵和三棱鏡交叉色散分光相似,DRC-ICP-MS具有雙四極桿質(zhì)量分析器,即ICP-MS-MS,DRC部分進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)并與主四極桿同步掃描實(shí)現(xiàn)離子初步選擇和過(guò)濾,大大提高了ICP-MS的抗干擾能力,同時(shí)有效地降低了儀器的背景本底。
  毫無(wú)疑問(wèn),碰撞/反應(yīng)池延長(zhǎng)了ICP-MS中四級(jí)桿質(zhì)量分析器的壽命。提高了儀器的性能和靈活性,大大擴(kuò)大了這種技術(shù)以前不能實(shí)現(xiàn)的應(yīng)用范圍。
  可選碰撞反應(yīng)氣體種類(lèi)的進(jìn)展
  碰撞反應(yīng)氣體的發(fā)展經(jīng)歷了三個(gè)階段。
  表5. 碰撞反應(yīng)氣體的發(fā)展階段
  池氣體 *階段 第二階段 第三階段
  氣體類(lèi)型 *碰撞性氣體 還原性反應(yīng)氣體 氧化性反應(yīng)氣體
  氣體種類(lèi) He、Ne、Xe H2、CH4、NH3 O2、N2O、CO2
  應(yīng)用舉例 消除ArO對(duì)Fe的干擾 消除ArAr對(duì)Se的干擾 消除ArCl對(duì)As的干擾
  在分析7s+時(shí),高鹽樣品中大量的氯離子會(huì)和Ar+或者Ca+生成ArCl+ (m/z 75)和CaCl+( m/z 75)從而嚴(yán)重干擾7s+ 的測(cè)定,而通入具有氧化性的反應(yīng)氣O2便可與As+發(fā)生反應(yīng)產(chǎn)生AsO+ (m/z 91) ,而質(zhì)荷比為91上沒(méi)有任何干擾,通過(guò)測(cè)定AsO+進(jìn)而就可以得到As+的含量了。
  圖5顯示了在1%NaCl基體中未使用DRC測(cè)定As和Se,以濃度1μ/L, 2μ/L, 5μ/L做校準(zhǔn)曲線(xiàn),其線(xiàn)性關(guān)系<0.99,說(shuō)明基體嚴(yán)重干擾了As和Se的測(cè)定,而使用DRC以后,將As和Se轉(zhuǎn)化為AsO和SeO來(lái)測(cè)定,其線(xiàn)性關(guān)系優(yōu)于0.9999(如圖6)。
  圖5. 未用DRC技術(shù)選用同位素As75,Se82 分析1%NaCl基體中As,Se.
  圖6. 以O(shè)2作為DRC氣體選用AsO91,SeO96 分析1%NaCl基體中As,Se.
  對(duì)于傳統(tǒng)的電感耦合等離子體質(zhì)譜(ICP-MS)而言,測(cè)量磷(P)和硫(S)是非常困難的。P和S的電離能很高,在10.4—10.5 eV 之間。因此P和S在等離子體中的離子化效率很低,而低離子化效率直接導(dǎo)致信號(hào)強(qiáng)度的偏低。為了提高P和S測(cè)量的靈敏度,就必須選用同位素豐度高的質(zhì)量數(shù),如31P( 100% 豐度)和32S ( 95% 豐度)。然而, 31P和32S在分析中均受到大量氮(N),氧(O)和氫(H)所生成的15N16O+,14N16O1H+ (m/z 31)和 O2+(m/z 32)的干擾。
  使用氧氣可以很好的消除以上所述的干擾2。磷和硫能與DRC氣O2反應(yīng)生成其各自的氧化物,反應(yīng)式如下:
  P+ + O2 → PO+ + O
  S+ + O2 → SO+ + O
  從而可以利用測(cè)定PO+ (m/z 47)和SO+ (m/z 48)來(lái)測(cè)定痕量的P和S。磷和硫標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn),濃度為5,10 , 20 μg/L,線(xiàn)性相關(guān)系數(shù)均>0.9999。
  參考文獻(xiàn):
  1. 劉虎生,邵宏翔,電感耦合等離子體質(zhì)譜技術(shù)與應(yīng)用[M],化學(xué)工業(yè)出版社
  2. Dmitry R. Bandura,* Vladimir I. Baranov, and Scott D. Tanner, Detection of Ultratrace Phosphorus and Sulfur by Quadrupole ICP-MS with Dynamic Reaction Cell [J], Anal. Chem. 2002, 74, 1497-1502

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